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近红外CMOS相机采用近红外扩展的硅材料影像传感器,其响应范围拓展到1200nm,而噪声比InGaAs芯片低很多,非常适合硅基芯片、太阳能电池等的发光检测。
近红外CMOS相机参数:
主要特点
• 1300 万像素高分辨率
• 波长*远覆盖到1200nm;
• 低成本,高性价比:相比InGaAs 相机
• 夜视适用
• USB2.0 接口
近红外CMOS相机主要应用:
• 显微近红外成像
• 激光光斑NIR 检测
• 半导体检测
• 太阳能面板电致发光检测


CFQRVBC-118 近红外CMOS相机
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